[发明专利]具有扇形轮廓的深沟槽电容器有效
| 申请号： | 201611237535.6 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN107017237B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 颜翠玲;倪其聪;张瑞鸿;罗耀聘 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种具有深沟槽电容器的集成芯片及形成方法，该深沟槽电容器具有限定弯曲凹陷的锯齿状侧壁。在一些实施例中，集成芯片包括具有沟槽的衬底，该沟槽具有限定多个弯曲凹陷的锯齿状侧壁。介电材料层共形地内衬于锯齿状侧壁，并且导电材料层布置在沟槽内并且通过介电材料层与衬底分离。介电材料层配置为位于包括导电材料层的第一电极和布置在衬底内的第二电极之间的电容器电介质。导电材料层的锯齿状侧壁增加了导电材料层的外表面的表面积，从而增加每单位深度的电容器的电容。本发明实施例涉及具有扇形轮廓的深沟槽电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扇形 轮廓 深沟 电容器 | ||
【主权项】：
一种集成芯片，包括：衬底，具有沟槽，所述沟槽具有限定多个弯曲凹陷的锯齿状侧壁；介电材料层，共形地内衬于所述锯齿状侧壁；以及导电材料层，通过所述介电材料层与所述衬底分离并且具有包括多个弯曲突起的侧壁，其中，所述介电材料层配置为位于第一电极和第二电极之间的电容器电介质，所述第一电极包括所述导电材料层，所述第二电极布置在所述衬底内。
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