[发明专利]物理气相沉积中钛或氮化钛颗粒控片的使用方法有效

专利信息
申请号: 201611239440.8 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN108257885B 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 张贵军 申请(专利权)人: 无锡华润上华科技有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/203;H01L21/304;H01L21/306;C23C14/22
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种物理气相沉积中钛或氮化钛颗粒控片的使用方法,包括:步骤A:提供作为控片的晶圆片;步骤B:在所述晶圆片的表面形成氧化层;步骤C:在所述氧化层上进行物理气象沉积,以检测钛或氮化钛颗粒质量;步骤D:检测完成后,采用钨化学机械研磨方式去除钛薄膜或氮化钛薄膜及部分氧化层;其中,研磨去除的氧化层的厚度不超过生长的氧化层的厚度;步骤E:在下一次检测中,使用研磨后的晶圆片重复步骤C和步骤D;步骤F:当经过多次检测氧化层被完全消耗掉后,重复执行步骤B至步骤E。上述方法,控片的回收率更高,能够使控片重复使用的次数更高,降低控片的使用成本。
搜索关键词: 物理 沉积 氮化 颗粒 使用方法
【主权项】:
1.一种物理气相沉积中钛或氮化钛颗粒控片的使用方法,包括:步骤A:提供作为控片的晶圆片;步骤B:在所述晶圆片的表面形成氧化层;步骤C:在所述氧化层上进行物理气象沉积,以检测钛或氮化钛颗粒质量;步骤D:检测完成后,采用钨化学机械研磨方式去除钛薄膜或氮化钛薄膜及部分氧化层;其中,研磨去除的氧化层的厚度不超过生长的氧化层的厚度;步骤E:在下一次检测中,使用研磨后的晶圆片重复步骤C和步骤D;步骤F:当经过多次检测氧化层被完全消耗掉后,重复执行步骤B至步骤E。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司,未经无锡华润上华科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611239440.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top