[发明专利]物理气相沉积中钛或氮化钛颗粒控片的使用方法有效
| 申请号： | 201611239440.8 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108257885B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 张贵军 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/203;H01L21/304;H01L21/306;C23C14/22 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种物理气相沉积中钛或氮化钛颗粒控片的使用方法，包括：步骤A：提供作为控片的晶圆片；步骤B：在所述晶圆片的表面形成氧化层；步骤C：在所述氧化层上进行物理气象沉积，以检测钛或氮化钛颗粒质量；步骤D：检测完成后，采用钨化学机械研磨方式去除钛薄膜或氮化钛薄膜及部分氧化层；其中，研磨去除的氧化层的厚度不超过生长的氧化层的厚度；步骤E：在下一次检测中，使用研磨后的晶圆片重复步骤C和步骤D；步骤F：当经过多次检测氧化层被完全消耗掉后，重复执行步骤B至步骤E。上述方法，控片的回收率更高，能够使控片重复使用的次数更高，降低控片的使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 沉积 氮化 颗粒 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种物理气相沉积中钛或氮化钛颗粒控片的使用方法，包括：步骤A：提供作为控片的晶圆片；步骤B：在所述晶圆片的表面形成氧化层；步骤C：在所述氧化层上进行物理气象沉积，以检测钛或氮化钛颗粒质量；步骤D：检测完成后，采用钨化学机械研磨方式去除钛薄膜或氮化钛薄膜及部分氧化层；其中，研磨去除的氧化层的厚度不超过生长的氧化层的厚度；步骤E：在下一次检测中，使用研磨后的晶圆片重复步骤C和步骤D；步骤F：当经过多次检测氧化层被完全消耗掉后，重复执行步骤B至步骤E。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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