[发明专利]IGBT正面结构及制备方法在审
| 申请号： | 201611240210.3 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106653828A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 吴凯;程炜涛;王海军;杨晓鸾;许生根 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/266;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,刘海 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种IGBT正面结构及制备方法，包括N基区，N+发射区，P基区，沟槽栅极，栅极氧化层，隔离氧化层，接触孔，P+区，金属Al电极，N+悬浮层和P+悬浮环。所述N+悬浮层位于P基区下方，其深度不超过沟槽栅极底部；所述P+悬浮环位于沟槽栅极下方；所述N+悬浮层的形成，受沟槽栅极的间距、N+悬浮层注入能量以及栅极牺牲氧化和栅极氧化的温度和时间控制。所述P+悬浮环的间距，受沟槽栅极的间距、P+悬浮环的注入能量以及栅极牺牲氧化和栅极氧化的温度和时间控制。本发明还提供了上述IGBT正面结构的制备方法。本发明用于降低IGBT器件的导通损耗，改善IGBT器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 正面 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT正面结构，包括第一导电类型基区，第一导电类型基区的正面设置第二导电类型基区，第二导电类型基区的表面设置金属电极，在第二导电类型基区设置沟槽结构；所述沟槽结构的上端延伸至金属电极中，沟槽结构与金属电极之间设置隔离氧化层进行隔离，沟槽结构的下端延伸至第一导电类型基区中，沟槽结构的上端两侧设置第一导电类型发射区，沟槽结构之间形成金属电极与第二导电类型基区的接触孔，在接触孔底部设置第二导电类型区；其特征是：在所述第一导电类型基区中设置第一导电类型悬浮层和第二导电类型悬浮环。
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