[发明专利]沟槽IGBT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201611240236.8 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106683989A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 吴凯;程炜涛;王海军;杨晓鸾;许生根 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽IGBT器件及其制造方法，包括第一导电类型漂移区，在第一导电类型漂移区的正面设置第二导电类型基区和发射极金属层，第一导电类型漂移区的背面设置第二导电类型集电区和集电极金属层，在第二导电类型基区中设置沟槽结构；所述沟槽结构的上端位于第二导电类型基区的正面，沟槽结构的下端延伸至第一导电类型漂移区的上部；在所述发射极金属层中设置介质层以隔离沟槽结构和发射极金属层；所述沟槽结构的上部两侧设置第一导电类型发射区；其特征是：在所述沟槽结构的下端设置第一导电类型悬空区，第一导电类型悬空区位于第一导电类型漂移区中。本发明能够达到降低器件导通压降的作用，无需另外光刻和长时间的热过程，节省了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 igbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽IGBT器件，包括第一导电类型漂移区，在第一导电类型漂移区的正面设置第二导电类型基区，在第二导电类型基区的正面设置发射极金属层，第一导电类型漂移区的背面设置第二导电类型集电区，在第二导电类型集电区的背面设置集电极金属层，在第二导电类型基区中设置沟槽结构；所述沟槽结构的上端位于第二导电类型基区的正面，沟槽结构的下端延伸至第一导电类型漂移区的上部；在所述发射极金属层中设置介质层以隔离沟槽结构和发射极金属层；所述沟槽结构的上部两侧设置第一导电类型发射区；其特征是：在所述沟槽结构的下端设置第一导电类型悬空区，第一导电类型悬空区位于第一导电类型漂移区中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
