[发明专利]一种形成空气隙/铜互连的工艺方法有效
| 申请号： | 201611240358.7 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106847740B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 左青云;林宏;李铭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成空气隙/铜互连的工艺方法，其包括提供一半导体衬底，先在半导体衬底上完成CMOS器件前道工艺，接着在半导体衬底上形成常规的第一介质/铜互连结构；采用刻蚀设备刻蚀铜互连线中间的第一介质；其中，在刻蚀第一介质过程中采用氟基气体和氧基气体进行刻蚀，铜互连线暴露在刻蚀气体氛围中，铜互连线铜表面会产生具有一定厚度的铜氧化物副产品；还原铜互连线表面的铜氧化物副产品，即使铜互连线表面的铜氧化物副产品重新转化为金属铜；采用湿法药液去除残留光刻胶并清洗；淀积第二介质以形成空气隙/铜互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 空气 互连 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种形成空气隙/铜互连的工艺方法，其特征在于，包括：步骤S1：提供一半导体衬底，先在半导体衬底上完成CMOS器件前道工艺，接着在所述半导体衬底上形成常规的第一介质/铜互连结构；步骤S2：采用刻蚀设备刻蚀所述铜互连线中间的第一介质；其中，在刻蚀第一介质过程中采用氟基气体和氧基气体进行刻蚀，所述铜互连线暴露在刻蚀气体氛围中，所述铜互连线铜表面会产生具有一定厚度的铜氧化物副产品；步骤S3：还原所述铜互连线表面的铜氧化物副产品，即使所述铜互连线表面的铜氧化物副产品重新转化为金属铜；步骤S4：采用湿法药液去除残留光刻胶并清洗；步骤S5：淀积第二介质，形成所述空气隙/铜互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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