[发明专利]一种晶体的定向切割方法

摘要

本发明提供了一种晶体的定向切割方法，属于半导体晶体材料切割技术领域。定向切割方法包括以下步骤：将切割底座与圆柱形晶体平整放置并接触，在二者之间填充粘接剂；将切割底座与圆柱形晶体的上下左右均固定，静置，使二者粘结在一起；将粘接好的晶体放置在X射线定向仪上，进行晶体底面定向测试，以确定切割线及切割面晶向；将粘接好的晶体及切割底座装在多线切割机上，根据所述切割线及切割面晶向，调整切割角度，切割后就可以得出相应晶向的晶体切割片。本发明还涉及定位粘接装置，使得切割石墨底座与晶体紧密粘接在一起，避免粘接剂在凝固过程中造成切割石墨底座与晶体底面偏差，保证晶体切割后晶向偏差控制在6’以内。

主权项

1.一种晶体的定向切割方法，基于一种晶体的定位粘接装置，其特征在于，晶体的定位粘接装置，包括：底板(1)，其两端设有向上的折边，其中一个折边上设有通孔；2块侧板(2)，分别设于底板(1)的两侧，2块侧板(2)的内侧上端分别设有滑槽；用于分别固定切割底座(7)与晶体(8)的两个旋转顶杆(3)，包括：内杆、与内杆上部相配合旋转的外杆、与外杆下端固连的支撑片(5)和套设在内杆下部的弹簧(6)，弹簧(6)位于支撑片(5)的下方，支撑片(5)的两端分别卡在2块侧板(2)的滑槽内；用于固定晶体(8)顶部的支撑托杆(9)，设于通孔处；晶体的定向切割方法包括以下步骤：S1、将切割底座与圆柱形晶体平整放置并接触，在二者之间填充粘接剂；S2、将切割底座与圆柱形晶体的上下左右均固定，静置，使二者粘结在一起；S3、将粘接好的晶体放置在X射线定向仪上，进行晶体底面定向测试，以确定切割线及切割面晶向；步骤S3包括：S31、先依据晶体的晶向确定主副参考边，即大边和小边；S32、根据大边和小边，测出晶体4个点的角度值，每个测试点相隔90°，相邻两个测试点的角度值相差4°，找出角度值相同的两个点，该两点的连线即为切割线；S4、将粘接好的晶体及切割底座装在多线切割机上，根据所述切割线及切割面晶向，调整切割角度，切割后就可以得出相应晶向的晶体切割片。