[发明专利]一种混合键合方法有效
| 申请号： | 201611242099.1 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106711055B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 林宏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;陈慧弘<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种混合键合方法，该方法采用了刻蚀工艺去除一定厚度的介质层，再沉积一层有机介质层，并整体去除表面的有机介质层直至暴露出金属图形，进而获得新的键合表面。该有机介质层的键合工艺温度与金属接近，键合强度与SiO2、Si3N4等无机介质接近，不需要复杂的等离子激活技术和苛刻的表面粗糙度要求，且在高温下具有一定可流动性，拥有非常大的键合工艺窗口，有利于降低工艺集成难度，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 有机介质层 键合工艺 去除 表面粗糙度要求 产品良率 工艺集成 混合键合 键合表面 金属图形 可流动性 刻蚀工艺 无机介质 等离子 介质层 再沉积 键合 激活 金属 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种混合键合方法，其特征在于，包括：/n步骤01：提供一衬底，再用后道工艺在衬底中形成金属接触孔和金属接触孔之间的介质层；/n步骤02：刻蚀去除设定厚度的介质层，使金属接触孔的表面高出介质层表面；/n步骤03：在完成步骤02的衬底上沉积一层有机介质层；其中，有机介质层覆盖所述金属接触孔；/n步骤04：向下整体去除有机介质层表面一定厚度直至暴露出金属接触孔表面，进而获得新的键合表面；/n步骤05：将按照步骤01～04制备的另一个衬底的带有有机介质层的那一面与该衬底的带有有机介质层的那一面进行对准键合，其中，另一个衬底中的金属接触孔表面与该衬底中的金属接触孔表面相对准键合，另一个衬底中的有机介质层表面与该衬底中的有机介质层表面相对准键合。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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