[发明专利]消除MOCVD设备反应腔内水氧分子杂质的方法

摘要

本发明提供一种消除MOCVD设备反应腔内水氧分子杂质的方法。本发明提供的消除MOCVD设备反应腔内水氧分子杂质的方法包括：通入惰性气体至MOCVD设备反应腔；对MOCVD设备反应腔依次进行低温烘烤、中温烘烤和高温烘烤；将三甲基铝TMAL和混合气体通入反应腔，以使水氧分子杂质与TMAL反应；将三甲基镓TMGA、双环戊二烯镁CP2MG和混合气体通入反应腔，以使水氧分子杂质与TMGA和CP2MG反应，得到的反应产物沉积在反应腔的内壁。本发明的消除MOCVD设备反应腔内水氧分子杂质的方法，可以快速的去除MOCVD设备反应腔体内的水氧分子杂质，延长了MOCVD设备的使用寿命。

主权项

1.一种消除MOCVD设备反应腔内水氧分子杂质的方法，其特征在于，包括：通入惰性气体至所述MOCVD设备反应腔；在所述惰性气体氛围下，对所述反应腔依次进行低温烘烤、中温烘烤和高温烘烤；将三甲基铝TMAL和混合气体通入所述反应腔，以使所述水氧分子杂质与所述TMAL反应；将三甲基镓TMGA、双环戊二烯镁CP2MG和所述混合气体通入所述反应腔，以使所述水氧分子杂质与所述TMGA和CP2MG反应，得到的反应产物沉积在反应腔的内壁；其中，在所述低温烘烤的阶段，所述反应腔的温度为30‑90℃，在所述中温烘烤的阶段，所述反应腔的温度为91‑600℃，在所述高温烘烤的阶段，所述反应腔的温度为601‑1200℃。