[发明专利]一种环栅场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201611243062.0 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106711194B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 王盛凯;李跃;刘洪刚;马磊;孙兵;常虎东;王博 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/20;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种环栅场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括：在衬底上形成第一栅介质层、沟道层、第二界面控制层、源漏层和一半导体材料层；刻蚀去除半导体材料层，并在沟道区纵向方向刻蚀形成一凸字形结构，凸出部分刻蚀至第二界面控制层，两侧刻蚀至第一栅介质层；在沟道区凸出部分的两侧壁生长第三界面控制层，且在间隔源区和漏区一定距离的凸出部分的上表面自下而上形成第二栅介质层和第二栅金属层，并延伸至第三界面控制层的侧壁和凸出部分两侧平台的上表面；在源区和漏区的源漏层上表面靠外侧部分形成源漏金属层。本发明提出的晶体管可有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率、栅控能力和电流驱动能力，有效抑制短沟道效应和DIBL效应。 | ||
| 搜索关键词： | 界面控制层 凸出 刻蚀 栅介质层 上表面 制备 半导体材料层 场效应晶体管 沟道区 环栅 漏区 源漏 源区 电流驱动能力 短沟道效应 沟道载流子 凸字形结构 源漏金属层 有效减少 有效抑制 栅金属层 沟道层 两侧壁 迁移率 散射 晶体管 侧壁 衬底 沟道 去除 生长 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种环栅场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：步骤1、在衬底上形成键合金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、沟道层、第二界面控制层、源漏层和一半导体材料层，具体包括：步骤1‑1、在单晶衬底上形成隔离层和一第一键合金属层；步骤1‑2、在半导体材料层上依次形成一源漏层、一第二界面控制层、一沟道层、一第一界面控制层、一第一栅介质层、一第一栅金属层和一第二键合金属层；步骤1‑3、倒置步骤1‑2中结构于所述第一键合金属层上，键合所述第一键合金属层和第二键合金属层形成所述键合金属层；步骤2、刻蚀去除所述半导体材料层，并在沟道区纵向方向刻蚀形成一凸字形结构，凸出部分刻蚀至所述第二界面控制层，凸出部分的两侧刻蚀至所述第一栅介质层；步骤3、在所述沟道区凸出部分的两侧壁生长一第三界面控制层，且在间隔源区和漏区一定距离的凸出部分的上表面自下而上形成一第二栅介质层和一第二栅金属层，并延伸至所述第三界面控制层的侧壁和凸出部分两侧平台的上表面；步骤4、在所述源漏层上表面靠外侧部分形成一源漏金属层，完成所述环栅场效应晶体管的制备。
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