[发明专利]一种晶体生长坩埚、装置及其生长方法有效
| 申请号： | 201611243558.8 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106854773B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 戴锐锋 | 申请（专利权）人： | 伯恩露笑蓝宝石有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B15/10 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王闯 |
| 地址： | 028000 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体生长技术领域，具体为一种晶体生长坩埚、装置及其生长方法。一种晶体生长坩埚，包括坩埚本体，还包括热交换器。坩埚本体包括侧壁、底壁和坩埚盖，侧壁、底壁和坩埚盖围成为晶体生长提供场所的坩埚室。热交换器穿设于坩埚盖伸入至坩埚室，热交换器伸入至坩埚内的一端设置有籽晶。坩埚本体外环设有加热器。本发明将热交换法、泡生法和提拉法进行结合并提供了一种优化的晶体生长方法，其能减少晶体内部缺陷、降低晶体开裂几率和增加晶体良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长坩埚 热交换器 坩埚本体 坩埚盖 坩埚 晶体生长 侧壁 底壁 伸入 晶体生长技术 加热器 内部缺陷 热交换法 一端设置 生长 泡生法 提拉法 穿设 良率 籽晶 优化 | ||
【主权项】：
1.一种晶体生长坩埚，包括坩埚本体，其特征在于，所述晶体生长坩埚还包括固定籽晶的热交换器；所述坩埚本体包括侧壁、底壁和坩埚盖；所述侧壁、所述底壁和所述坩埚盖围成为晶体生长提供场所的坩埚室；所述热交换器包括热交换单元和设置有流体流量控制单元的流体供应单元；所述热交换单元的一端与所述流体供应单元连接，所述热交换单元的另一端贯穿所述坩埚盖并伸入所述坩埚室内，且所述热交换器可选地在远离或靠近所述底壁的地方运动；所述坩埚本体外环设有加热器，所述加热器包括环设于所述侧壁的第一加热器和设置在所述底壁外的第二加热器。
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