[发明专利]一种基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料在审
| 申请号： | 201611243901.9 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106785475A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 文岐业;史中伟;刘浩天;陈智;文天龙;杨青慧;张怀武;涂翔宇;刘洋 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于电磁功能材料技术领域，具体提供一种基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料，用以克服现有太赫兹波吸收器件吸收带宽窄、制作工艺复杂、器件稳定性差、制备成本高昂的缺陷；本发明太赫兹波宽带吸收材料包括硅纳米针阵列和硅衬底两部分，所述硅纳米针阵列由均匀分布于硅衬底上的若干个硅纳米针构成，硅纳米针垂直设置于硅衬底表面；所述硅纳米针阵列和硅衬底为同一材料，均采用n型或p型重掺杂半导体硅、其电阻率≤0.1Ω·cm。通过该硅纳米针阵列结构制作的太赫兹波吸收材料，结构简单，在0.2THz～1.2THz范围内，对太赫兹波的吸收率高达90％；采用简易金属辅助的化学刻蚀方法制备，制备工艺简单，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 赫兹 宽带 吸收 材料 | ||
【主权项】：
一种基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料，包括硅纳米针阵列和硅衬底两部分，其特征在于，所述硅纳米针阵列由均匀分布于硅衬底上的若干个硅纳米针构成，硅纳米针垂直设置于硅衬底表面；所述硅纳米针阵列和硅衬底为同一材料，均采用n型或p型重掺杂半导体硅、其电阻率≤0.1Ω·cm。
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