[发明专利]一种高频率选择性基片集成波导平衡式双通带滤波器

摘要

本发明公开了一种高频率选择性基片集成波导平衡式双通带滤波器，包括上层介质基片和下层介质基片，上层介质基片设置一个上金属层，下层介质基片设置一个下金属层，上、下层介质基片之间设置中间金属层；所述上、下层介质基片各设置一圈金属化通孔；上金属层、上层介质基片、中间金属层以及上层介质基片中的金属化通孔构成上谐振腔；下金属层、下层介质基片、中间金属层以及下层介质基片中的金属化通孔构成下谐振腔；上、下谐振腔各通过另两条关于谐振腔中心对称的微带线进行差分馈电；所述中间金属层设置四个矩形的孔隙。本发明具有很好的频率选择性能，缩减了体积，兼具低损耗、高功率容量的特点。

主权项

1.一种高频率选择性基片集成波导平衡式双通带滤波器，其特征在于，该滤波器基于基片集成波导，包括上层介质基片（5）和下层介质基片（11），所述上层介质基片（5）的上表面设置上金属层（1），下层介质基片（11）的下表面设置下金属层（12），上层介质基片（5）、下层介质基片（11）之间设置中间金属层（10）；所述上层介质基片（5）设置有一圈上层金属化通孔（2），下层介质基片（11）设置有一圈下层金属化通孔（13）；第一微带线（3）和第二微带线（4），以及第三微带线（14）和第四微带线（15）分别组成一对差分馈电端口；所述中间金属层（10）设置四个矩形的第一孔隙（6）、第二孔隙（7）、第三孔隙（8）和第四孔隙（9），其中第一孔隙（6）和第四孔隙（9）关于中间金属层（10）的中心点对称分布，第二孔隙（7）和第三孔隙（8）同样关于中间金属层（10）的中心点对称分布；所述上金属层（1）、上层介质基片（5）、中间金属层（10）以及上层介质基片中的上层金属化通孔（2）构成上谐振腔；下金属层（12）、下层介质基片（11）、中间金属层（10）以及下层介质基片中的下层金属化通孔（13）构成下谐振腔；上谐振腔通过关于谐振腔中心对称的第一微带线（3）、第二微带线（4）进行差分馈电，下谐振腔通过关于谐振腔中心对称的第三微带线（14）、第四微带线（15）进行差分馈电。