[发明专利]基于柔性石墨烯场效应晶体管结构的多级太赫兹调制器有效
| 申请号： | 201611244496.2 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106646930B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 文岐业;刘洋;何雨莲;刘浩天;陈智;杨青慧;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/015 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于太赫兹波应用技术领域，提供一种基于柔性石墨烯场效应晶体管结构的多级太赫兹调制器，用以克服现有石墨烯晶体管太赫兹调制器的调制深度低及只能实现开关两个状态的缺陷；本发明太赫兹调制器采用上下对称结构，包括衬底，衬底上、下表面对称设置的石墨烯薄膜、离子胶、源电极、漏电极、栅电极，其中，所述石墨烯薄膜设置于衬底表面，所述源电极、离子胶、漏电极设置于石墨烯薄膜表面，所述栅电极设置于离子胶表面。本发明两个柔性石墨烯场效应晶体管分别设置于同一柔性衬底的两侧，能够大幅提升器件调制深度至37％以上；同时，通过级联控制能够实现对太赫兹波幅度的4级调制。 | ||
| 搜索关键词： | 太赫兹调制器 石墨烯薄膜 柔性石墨 离子胶 衬底 调制 场效应晶体管结构 太赫兹波 漏电极 源电极 栅电极 场效应晶体管 上下对称结构 应用技术领域 衬底表面 对称设置 级联控制 提升器件 石墨烯 下表面 晶体管 | ||
【主权项】：
1.基于柔性石墨烯场效应晶体管结构的多级太赫兹调制器，其特征在于，所述太赫兹调制器采用上下对称结构，包括衬底，衬底上、下表面对称设置的石墨烯薄膜、离子胶、源电极、漏电极、栅电极，其中，所述石墨烯薄膜设置于衬底表面，所述源电极、离子胶、漏电极设置于石墨烯薄膜表面，所述栅电极设置于离子胶表面；所述柔性石墨烯场效应晶体管采用双层柔性石墨烯场效应晶体管结构，两个柔性石墨烯场效应晶体管分别设置于同一柔性衬底的两侧，能够大幅提升器件调制深度至37％；所述衬底上、下表面对称设置的石墨烯薄膜采用电阻率不同的石墨烯薄膜，构成的石墨烯晶体管对太赫兹波具有显著不同的调制深度，能够通过单侧控制和两侧级联控制实现多级调制，分别将单侧透射最强时记为Amax、Bmax，透射最小时记为Amin、Bmin，则通过排列组合，一共可实现AmaxBmax、AmaxBmin、AminBmax和AminBmin四种状态的调制，且从状态AmaxBmax到状态AminBmin相较于单侧调制时均具备更大的调制深度。
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