[发明专利]半导体集成电路的制造方法

摘要

本发明实施例提供了一种半导体器件的制造方法，该方法包括提供了衬底，该衬底具有位于其上方的硬掩模层。图案化硬掩模层以暴露衬底。通过图案化的硬掩模层蚀刻衬底以形成从衬底延伸的第一鳍元件和第二鳍元件。形成位于第一鳍元件和第二鳍元件之间的隔离部件，其中隔离部件在第一溶液中具有第一蚀刻速率。利用脉冲激光束实施激光退火工艺以照射隔离部件。基于隔离部件的高度调整脉冲激光束的脉冲持续时间。在实施激光退火工艺之后，隔离部件在第一溶液中具有比第一蚀刻速率更低的第二蚀刻速率。本发明实施例涉及半导体集成电路的制造方法。

主权项

一种制造半导体集成电路的方法，包括：提供衬底，所述衬底上方具有硬掩模层；图案化所述硬掩模层以暴露所述衬底；穿过图案化的所述硬掩模层蚀刻所述衬底以形成从所述衬底延伸的第一鳍元件和第二鳍元件。在所述第一鳍元件和所述第二鳍元件之间形成隔离部件，其中，所述隔离部件在第一溶液中具有第一蚀刻速率；以及利用脉冲激光束实施激光退火工艺以照射所述隔离部件，其中，实施所述激光退火工艺包括基于所述隔离部件的高度调节所述脉冲激光束的脉冲持续时间，并且其中，在实施所述激光退火工艺之后，所述隔离部件所述在第一溶液中具有比所述第一蚀刻速率更低的第二蚀刻速率。