[发明专利]基于有源区沟槽结构的碳化硅双极型晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201611245751.5 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106684132B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 元磊;李钊君;宋庆文;汤晓燕;张艺蒙;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 潘宏伟 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于有源区沟槽结构的碳化硅双极型晶体管及其制作方法，属于微电子技术领域。可以解决现有的碳化硅双极型晶体管存在薄基区结构可能会导致低的击穿电压的问题。包括：N+发射区，设置在所述基区上表面，包括呈倾斜槽型的器件沟槽，呈垂直槽型的发射区台面和器件隔离区；基极P+注入区，设置在所述发射区台面下表面，且位于所述基区内；所述器件沟槽设置在所述N+发射区，且延伸至所述N‑集电区上部；所述器件隔离区设置在所述基区，且延伸至所述N‑集电区上部。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 有源 沟槽 结构 碳化硅 双极型 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.基于有源区沟槽结构的碳化硅双极型晶体管器件，其特征在于，包括：N+衬底(101)；N‑集电区(102)，设置在所述N+衬底(101)上表面；基区(103)，设置在所述N‑集电区(102)上表面；N+发射区(104)，设置在所述基区(103)上表面，包括呈倾斜槽型的器件沟槽，呈垂直槽型的发射区台面(105)和器件隔离区(106)；基极P+注入区(107)，设置在所述发射区台面(105)下表面，且位于所述基区(103)内；所述器件沟槽设置在所述N+发射区(104)，且延伸至所述N‑集电区(102)上部；所述器件隔离区(106)设置在所述基区(103)，且延伸至所述N‑集电区(102)上部；氧化层(108)，设置在所述N+发射区(104)，所述发射区台面(105)和所述器件隔离区(106)上表面，覆盖所述器件沟槽，并且在所述发射区台面(105)和所述N+发射区(104)开设有接触孔；基极接触金属(109)，设置在所述基极P+注入区(107)上表面，且位于所述发射区台面(105)内，两侧分别与所述氧化层(108)相连；发射极接触金属(111)，分别设置在覆盖所述氧化层(108)的器件沟槽上表面，所述器件隔离区(106)上表面以及与所述器件隔离区(106)相邻的所述发射区台面(105)上表面；所述器件沟槽上表面设置的所述发射极接触金属(111)一侧与覆盖在所述发射区台面(105)上的氧化层(108)相连；集电极(110)，位于所述N+衬底(101)下表面。
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