[发明专利]一种表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611245848.6 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN106672897B 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 董培涛;吴学忠;张晨煜;曾学盛;王朝光;王俊峰;陈剑 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: B82B1/00 分类号: B82B1/00;B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N21/65
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 赵洪;张鲜
地址: 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱及其制备方法。该表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱包括衬底,衬底上设有阵列型银纳米柱,阵列型银纳米柱的表面包覆有金膜;阵列型银纳米柱的柱长为400nm~800nm,阵列型银纳米柱的柱直径为80nm~100nm,相邻银纳米柱之间的距离70nm~80nm,阵列型银纳米柱表面的金膜厚度为20nm~30nm。制备方法包括:(1)倾斜镀膜法在衬底上制备阵列型银纳米柱;(2)纳米电镀金膜,得到表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱。本发明的阵列型银纳米柱表面包覆金膜技术具有结构稳定、与生物样品之间亲和性好等优点,该制备方法操作安全便捷、成本低廉、效率高、且对环境友好。
搜索关键词: 一种 表面 包覆有金膜 阵列 纳米 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱,包括衬底,其特征在于,所述衬底上设有阵列型银纳米柱,所述阵列型银纳米柱的表面包覆有金膜;所述阵列型银纳米柱的柱长为400nm~800nm,所述阵列型银纳米柱的柱直径为80nm~100nm,相邻银纳米柱之间的距离70nm~80nm,所述阵列型银纳米柱表面的金膜厚度为20nm~30nm,所述阵列型银纳米柱表面包覆的金膜是采用如下方法得到:以过硼酸溶液、氯化金溶液和金纳米颗粒胶体溶液形成的混合溶液为电解液,以铂金钛网为阳极,以沉积有阵列型银纳米柱的衬底为阴极,将沉积有阵列型银纳米柱的衬底浸入混合溶液中,在磁力搅拌的作用下,通电后进行电镀。
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