[发明专利]一种基于氮化硅波导的通信带到中红外超连续谱产生方法有效
| 申请号： | 201611246278.2 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106647098B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 惠战强 | 申请（专利权）人： | 西安邮电大学 |
| 主分类号： | G02F1/365 | 分类号： | G02F1/365 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 王新生 |
| 地址： | 710061 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氮化硅波导的通信带到中红外超连续谱产生方法，包括有如下步骤：1、通过超短脉冲光源发出重复频率为8‑12MHz，中心波长为1.4‑2.2微米；2、超短飞秒光脉冲经过透镜耦合注入色散平坦的脊形/沟槽混合反向氮化硅波导，氮化硅波导的结构包括设置于硅片上的二氧化硅氧化层，二氧化硅于表面刻蚀形成含有单二氧化硅脊的沟槽；本发明氮化硅波导在结构上采用脊形/沟槽混合结构，使得光场有效面积较小，实现波导的非线性系数相对较大，当高峰值功率飞秒光脉冲进入波导后，发生自相位调制、交叉相位调制、四波混频、孤子频移、色散波产生等一系列非线性过程，最终形成从近红外到中红外波段的超连续光谱。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 氮化硅 超连续谱 二氧化硅 光脉冲 脊形 二氧化硅氧化层 超短脉冲光源 交叉相位调制 非线性过程 非线性系数 高峰值功率 中红外波段 自相位调制 表面刻蚀 混合结构 连续光谱 色散平坦 四波混频 透镜耦合 有效面积 中心波长 重复频率 色散波 硅片 光场 频移 通信 | ||
【主权项】：
1.一种基于氮化硅波导的通信带到中红外超连续谱产生方法，其特征在于，包括有如下步骤：步骤一、通过超短脉冲光源发出超短飞秒光脉冲；步骤二、将步骤一发出的超短飞秒光脉冲经过透镜耦合注入氮化硅波导；飞秒激光器发出中心波长为1.804微米，半值全宽和峰值功率分别为50飞秒和10千瓦的超短光脉冲，经过半波片和偏振分束器组成的偏振控制系统后，再经透镜耦合注入色散平坦的脊形/沟槽混合反向氮化硅波导，形成从近红外到中红外波段的超连续光谱；所述氮化硅波导的结构包括设置于硅片上的二氧化硅氧化层，所述二氧化硅氧化层刻蚀形成含有单二氧化硅脊的沟槽，并于脊形二氧化硅两侧的沟槽填充氮化硅，最后在整个结构表面再覆盖一层氮化硅的反向结构；所述氮化硅波导为色散平坦的反向氮化硅脊形/沟槽混合波导，其色散值经过优化配置，在±10ps/(nm·km)范围内带宽达610纳米。
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