[发明专利]一种制备过渡金属一氧化物粉体、靶材和薄膜的方法在审
| 申请号： | 201611247869.1 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106673047A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;王东;黄冲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01G1/02 | 分类号： | C01G1/02 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 郑优丽;熊子君 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种制备过渡金属一氧化物粉体、靶材和薄膜的方法，所述方法包括：将摩尔比1:1～1.2:1的过渡金属M粉末和过渡金属M的氧化物粉末作为反应原料，与质量为反应原料总质量的0.5～2.5倍、优选0.5～2倍的碱金属卤化物充分混合后，真空封装于反应器中，于900～1100摄氏度反应5～10小时，得到过渡金属一氧化物粉体，将该过渡金属一氧化物粉体进行放电等离子体烧结，得到过渡金属一氧化物靶材，并将该过渡金属一氧化物靶材生长薄膜，得到过渡金属一氧化物薄膜。本发明能够低温、快速制备过渡金属一氧化物粉体、靶材和薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 过渡 金属 一氧化物 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温、快速制备纯相过渡金属一氧化物粉体的方法，其特征在于，所述过渡金属一氧化物为MO，其中M为Ti、V、Nb中的至少一种，所述方法包括：将摩尔比1:1～1.2:1的过渡金属M粉末和过渡金属M的氧化物粉末作为反应原料，与质量为反应原料总质量的0.5～2.5倍的碱金属卤化物充分混合后，真空封装于反应器中，于900～1100摄氏度反应5～10小时。
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