[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611247910.5 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107887438B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王喻生;洪奇成;李家庆;吴仲强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/285;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在通过原子层沉积制造钨层的方法中，通过供应含硼气体和稀释气体在衬底上形成位于下面的层上的晶种层，并且通过供应含钨气体而在晶种层上形成钨层。含硼气体的流量与含硼气体和稀释气体的总流量的流量比在从约1/21至1/4的范围内。本发明实施例涉及半导体集成电路，更具体地，涉及具有金属栅极结构的半导体器件及其制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种通过原子层沉积制造钨层的方法，包括：通过供应含硼气体和稀释气体在形成在衬底上的下面的层上形成晶种层；以及通过供应含钨气体在所述晶种层上形成钨层，其中，所述含硼气体的流量与所述含硼气体和所述稀释气体的总流量的流量比率在从1/21至1/4的范围内。
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