[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管在审
| 申请号： | 201611248826.5 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106876464A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;袁嵩;董自明;郭海君;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。该结构中设置辅助耗尽衬底埋层于漏端下方，该埋层可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区，从而突破由于纵向耐压受限而带来的电压饱和现象，同时该埋层还能够利用电场调制效应对表面横向电场和体内纵向电场进行调制，从而在保证器件低导通电阻的条件下，可以大幅度提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：半导体材料的衬底；位于所述半导体衬底表面的基区和漂移区；位于所述基区表面的源区；位于漂移区表面的漏区；其特征在于：漏端的漂移区下方接有纵向辅助耗尽衬底层，所述纵向辅助耗尽衬底层由N型和/或P型掺杂半导体材料构成，或者采用介质材料。
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