[发明专利]闪存器件及其制作方法

摘要

本发明涉及一种闪存器件及其制作方法。闪存器件的制作方法，包括在浮栅位置区域刻蚀浮栅多晶层、浮栅掩膜层，在浮栅掩膜层形成窗口，在浮栅多晶层形成沟槽，窗口与沟槽连通；二次刻蚀浮栅掩膜层的窗口侧壁，使位于浮栅多晶层的沟槽宽度小于位于浮栅掩膜层二次刻蚀后的窗口宽度的步骤。由于沟槽侧壁与窗口侧壁形成了台阶，增大了暴露在外的浮栅多晶层，相应增加了场氧化层的形成。台阶处的浮栅多晶层被氧化的过程中，可以使台阶处的场氧化层与浮栅多晶层界面的弧度面趋近于平面。同时，由于沟槽的存在，可使场氧化层向浮栅氧化层移动。也即，在浮栅位置区域的两侧，场氧化层与浮栅多晶层的接触界面形成锐利的尖角。

主权项

1.一种闪存器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成浮栅氧化层、浮栅多晶层和浮栅掩膜层；在浮栅位置区域刻蚀所述浮栅多晶层、浮栅掩膜层，在所述浮栅掩膜层形成窗口，在所述浮栅多晶层形成沟槽，所述窗口与所述沟槽连通；二次刻蚀所述浮栅掩膜层的窗口侧壁，使位于所述浮栅多晶层的沟槽宽度小于位于所述浮栅掩膜层二次刻蚀后的窗口宽度；氧化所述浮栅多晶层，使氧化物充满所述沟槽形成场氧化层；刻蚀形成带有尖角的浮栅。