[发明专利]用于形成色阻层、黑矩阵的拼接单元光罩有效
申请号: | 201611249485.3 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN107065428B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 应见见;杜鹏 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G02F1/1335 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于形成色阻层的拼接单元光罩及用于黑矩阵的拼接单元光罩,属于显示技术领域,解决了现有的拼接曝光技术存在易产生拼接斑纹的技术问题。该用于形成色阻层的拼接单元光罩,包括透光区域和不透光区域;所述透光区域对应于色阻层的去除区域,所述不透光区域对应于色阻层的保留区域;所述拼接单元光罩的边缘设置有拼接重叠区域,所述拼接重叠区域位于黑矩阵区域之内。 | ||
搜索关键词: | 用于 形成 色阻层 矩阵 拼接 单元 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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