[发明专利]一种NANDFLASH的坏块管理方法在审
申请号: | 201611249721.1 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106681936A | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 王猛;徐伟华 | 申请(专利权)人: | 记忆科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | G06F12/06 | 分类号: | G06F12/06 |
代理公司: | 广东广和律师事务所44298 | 代理人: | 叶新民 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种NAND FLASH的坏块管理方法,其特征在于增加了坏页判断机制,当某个block发生坏块时,增加对该坏块中的各个页再分别进行是否为坏页判断,对该坏块中正常的页继续正常回收使用。本发明通过打破常规的坏块处理机制,对现有技术中判定为坏块的block,再进行坏页判断,将坏块中正常的页进行回收利用,有效的提升了NAND FLASH的空间利用率和使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 nandflash 管理 方法 | ||
【主权项】:
一种NAND FLASH的坏块管理方法,其特征在于增加了坏页判断机制,当某个block发生坏块时,增加对该坏块中的各个页再分别进行是否为坏页判断,对该坏块中正常的页继续正常回收使用。
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