[发明专利]一种晶硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201611249916.6 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106653573B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 张群芳 | 申请（专利权）人： | 浙江合特光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 11508 北京维正专利代理有限公司 | 代理人： | 戴锦跃<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 314000浙江省嘉兴市秀洲*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶硅薄膜的制备方法，包括步骤1：在硅片上淀积一层晶硅薄膜；步骤2：采用光刻工艺，在硅片的晶硅薄膜上曝光出条状窗口；步骤3：采用磁控溅射法在窗口内晶硅薄膜上溅射一层金属镍；步骤4：采用激光器对着晶硅薄膜进行辐射照射制备晶硅薄膜；步骤5：将衬板装入腔室，腔室抽至真空度为10‑5托的外延生长系统，对衬板进行加热至250℃~450℃；然后将氢气和SiCl4进行高温热丝催化，SiCl4流量8ml/min，氢气流量15~25ml/min；步骤6：用氯化氢除去残留的金属镍及光刻胶，本发明具有晶硅薄膜量产量大的优点，同时生产时间短，生产制造效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1：在硅片上淀积一层晶硅薄膜，将硅片进行RCA清洗，接着进行去除氧化层处理，处理后使用去离子水清洗，并通过氮气吹干得到衬板；接着将步骤1的衬板迅速装入腔室，腔室抽至真空度为10-5托的外延生长系统，对衬板进行加热至150℃~250℃；然后将氢气和SiH4进行高温热丝催化，SiH4流量8ml/min，氢气流量60ml/min；步骤2：采用光刻工艺，在硅片的晶硅薄膜上曝光出条状窗口；步骤3：采用磁控溅射法在窗口内晶硅薄膜上溅射一层金属镍；步骤4：采用激光器对着晶硅薄膜进行辐射照射制备晶硅薄膜；步骤5：将衬板装入腔室，腔室抽至真空度为10-5托的外延生长系统，对衬板进行加热至250℃~450℃；然后将氢气和SiCl4进行高温热丝催化，SiCl4流量8ml/min，氢气流量15~25ml/min再次制备晶硅薄膜，氢气流量20ml/min；步骤6：用氯化氢除去残留的金属镍及光刻胶。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
