[发明专利]反向导通绝缘栅双极晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201611250030.3 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108258029B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 钟圣荣;邓小社 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反向导通绝缘栅双极晶体管，该反向导通绝缘栅双极晶体管包括：N型衬底，包括第一面、以及与第一面相背的第二面；第一外延层，设置于所述N型衬底的所述第一面上；第二外延层，设置于所述第一外延层上；P型掺杂区，设置于所述N型衬底的第二面侧内；DMOS器件，连接于所述第二外延层上；金属层，设置于所述N型衬底的第二面。本发明设计了一种反向导通绝缘栅双极晶体管及其制备方法中，通过使N型衬底的掺杂浓度比第一外延层的掺杂浓度低，可以有效降低膝电压，改善snap‑back效应。 | ||
| 搜索关键词： | 向导 绝缘 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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