[发明专利]一种电荷泵和电荷泵电路在审

专利信息
申请号: 201611250342.4 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN106712496A 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 方海彬;刘铭 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 代理人: 苏培华
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供了一种电荷泵和电荷泵电路,电荷泵包括依次连接的n级倍压模块,n为大于或等于2的整数,倍压模块包括第一电容和第二电容,倍压模块还包括第一双阱NMOS管、第一PMOS管、第二双阱NMOS管和第二双阱NMOS管。当倍压模块为第1级倍压模块时,第一双阱NMOS管的漏端和第二双阱NMOS管的漏端与电荷泵的输入电压提供端相连,当倍压模块不为第1级倍压模块时,第一双阱NMOS管的漏端和第二双阱NMOS管的漏端与前级倍压模块的输出端相连。本发明实施例的电荷泵较现有技术中的电荷泵,可以在相同的输出电流能力下,减小电荷泵的电源功耗。
搜索关键词: 一种 电荷 电路
【主权项】:
一种电荷泵,其特征在于,包括依次连接的n级倍压模块,n为大于或等于2的整数,所述倍压模块包括第一电容和第二电容,所述倍压模块还包括:第一双阱NMOS管和第二双阱NMOS管,当所述倍压模块为第1级倍压模块时,所述第一双阱NMOS管的漏端和所述第二双阱NMOS管的漏端分别与电荷泵的输入电压提供端相连,当所述倍压模块不为所述第1级倍压模块时,所述第一双阱NMOS管的漏端和所述第二双阱NMOS管的漏端分别与前级倍压模块的输出端相连;第一PMOS管,所述第一PMOS管的漏端与所述第一双阱NMOS管的源端相连,所述第一PMOS管的栅端与所述第一双阱NMOS管的栅端相连,所述第一PMOS管的漏端与所述第一双阱NMOS管的源端之间具有第一节点,所述第一节点与所述第一电容相连,所述第一PMOS管的栅端与所述第一双阱NMOS管的栅端之间具有第二节点;第二PMOS管,所述第二PMOS管的漏端与所述第二双阱NMOS管的源端相连,所述第二PMOS管的栅端与所述第二双阱NMOS管的栅端相连,所述第二PMOS管的漏端与所述第二双阱NMOS管的源端之间具有第三节点,所述第三节点分别与所述第二电容和所述第二节点相连,所述第二PMOS管的栅端与所述第二双阱NMOS管的栅端之间具有第四节点,所述第四节点与所述第一节点相连,所述第二PMOS管的源端与所述第一PMOS管的源端相连,所述第二PMOS管的源端与所述第一PMOS管的源端作为所述倍压模块的输出端。
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