[发明专利]一种高转换效率的超薄光电转换膜在审
| 申请号： | 201611250468.1 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106847957A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 濮毅德 | 申请（专利权）人： | 吴中区穹窿山德毅新材料技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0328 | 分类号： | H01L31/0328;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙)11264 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴中*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高转换效率的超薄光电转换膜，涉及光电技术领域，所述高转换效率的超薄光电转换膜，由二氧化钛和硫化锌复合而成，所述二氧化钛的粒径为25～50nm，硫化锌的粒径为20～50nm，本发明的复合薄膜的光电转换性明显优于单一薄膜的光电转换性，且本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 转换 效率 超薄 光电 | ||
【主权项】：
一种高转换效率的超薄光电转换膜，其特征在于，由二氧化钛和硫化锌复合而成，所述二氧化钛的粒径为25～50nm，硫化锌的粒径为20～50nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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