[发明专利]一种砷化镓表面形貌控制方法

摘要

本发明公开了一种砷化镓表面形貌控制方法，包括如下步骤：步骤1：将待刻蚀表面形貌的砷化镓样品置于真空室中，然后向真空室内充入氧分压气体；步骤2：调节氧分压，根据氧分压将真空室升温至对应温度，使砷化镓与氧分子在高温低压工作区域结合生成气态的三氧化二砷与一氧化二镓，控制反应时间实现砷化镓表面的形貌控制。本发明所提供的砷化镓(GaAs)表面形貌控制技术，工艺非常简单，且更加环保、成本低廉。

主权项

1.一种砷化镓表面形貌控制方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将待刻蚀表面形貌的砷化镓样品置于真空室中，然后向真空室内充入氧分压气体；步骤2：调节氧分压，根据氧分压将真空室升温至对应温度，使砷化镓与氧分子在高温低压工作区域结合生成气态的三氧化二砷与一氧化二镓，控制反应时间实现砷化镓表面的形貌控制；其中，步骤1中，所述真空室的原始氧气分压小于10‑4Pa；步骤2中，反应过程中氧气分压控制在0.1Pa‑105Pa之间，根据刻蚀速率的要求调节氧气分压；步骤2中，所述高温低压工作区域通过下述方法确定：在真空室中，氧气分压控制在0.1Pa‑105Pa，反应温度控制在300℃‑700℃，在反应温度和氧气分压为横纵坐标的二维图里，连接(520℃，0.1Pa)和(680℃，105Pa)两点将二维坐标图分成两个半区，高温且低压的半区即为所述的高温低压工作区域。