[发明专利]一种多晶硅片制绒的清洗方法有效
| 申请号： | 201611251891.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106683981B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 曾石发 | 申请（专利权）人： | 中建材浚鑫科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种多晶硅片制绒的清洗方法，对制绒后的硅片进行清洗，该方法包括以下步骤：S1:酸制绒；S2：将经S1步骤后的硅片进行水洗；S3：将经水洗后的硅片置于第一清洗液中进行浸泡清洗；S4：对经第一清洗液清洗后的硅片进行水洗；S5：将经S4步骤水洗后的硅片置于第二清洗液中进行浸泡清洗；S6：对经第二清洗液清洗后的硅片进行水洗；S7：将经S6步骤水洗后的硅片置于第三清洗液中进行浸泡清洗；S8：对经第三清洗液清洗后的硅片进行烘干。本发明明显提高了硅片会因为碱洗过程中碱与硅片的反应，防止现有绒面被破坏的情况，从而形成反射率更低的绒面设备，从而改善了电池的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅片制绒的清洗方法，对制绒后的硅片进行清洗，其特征在于：该方法包括以下步骤：S1:酸制绒；S2：将经S1步骤后的硅片进行水洗；S3：将经水洗后的硅片置于第一清洗液中进行浸泡清洗；S4：对经第一清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第一清洗液为碱性溶剂；S5：将经S4步骤水洗后的硅片置于第二清洗液中进行浸泡清洗；S6：对经第二清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第二清洗液为碱性溶剂；S7：将经S6步骤水洗后的硅片置于第三清洗液中进行浸泡清洗；所述第三清洗液为HCL和HF的混合溶液；S8：对经第三清洗液清洗后的硅片进行烘干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
