[发明专利]电容器结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201611252356.X 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN108269789B 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 张峰溢;李甫哲;詹益旺;陈界得 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L27/108
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种电容器结构及其制作方法。该电容器结构包含一半导体基板;一介电层,设于该半导体基板上;一存储节点接垫,设于该介电层中;以及一圆柱状下电极,包括一底部,陷入该介电层中,并与该存储节点接垫接触,其中该底部并延伸至该存储节点接垫的一侧壁上。
搜索关键词: 电容器 结构 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种电容器结构,包含:半导体基板;介电层,设于该半导体基板上;存储节点接垫,设于该介电层中;以及下电极,包括一底部,陷入该介电层中,并与该存储节点接垫接触,其中该底部并延伸至该存储节点接垫的一侧壁上。
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