[发明专利]一种三色红外探测器的制备方法

摘要

本发明公开了一种三色红外探测器的制作方法，其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为Be掺杂的GaSb缓冲层、p型InAs/InAsSb超晶格接触层、未掺杂的InAs/InAsSb超晶格红外吸收层、n型InAs/InAsSb超晶格接触层、第一n型InAsSb接触层、AlAsSb电子势垒层、非掺杂InAsSb红外吸收层、第二n型InAsSb接触层、n型低温GaSb接触层、未掺杂低温GaSb红外吸收层、p型低温GaSb接触层（盖层）。该探测器具有PIN型InAs/InAsSb超晶格、NBN型InAsSb异质结构和PIN型低温GaSb结构，具有高探测率、低暗电流、低串扰等优点，可以提高红外探测器的性能。

主权项

一种三色红外探测器，包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，其特征在于，所述外延结构从下至上依次为Be掺杂的GaSb缓冲层、p型InAs/InAsSb超晶格接触层、未掺杂的InAs/InAsSb超晶格红外吸收层、n型InAs/InAsSb超晶格接触层、第一n型InAsSb接触层、AlAsSb电子势垒层、非掺杂InAsSb红外吸收层、第二n型InAsSb接触层、n型低温GaSb接触层、未掺杂低温GaSb红外吸收层、p型低温GaSb接触层，外延结构的两侧经刻蚀形成台阶，台阶的深度分别至p型InAs/InAsSb超晶格接触层或Be掺杂GaSb缓冲层和第一n型InAsSb接触层或n型InAs/InAsSb超晶格接触层，金属电极包括金属下电极、金属中电极和金属上电极，金属下电极与p型InAs/InAsSb超晶格接触层或Be掺杂GaSb缓冲层欧姆接触，金属中电极与第一n型InAsSb接触层或n型InAs/InAsSb超晶格接触层欧姆接触，金属上电极形成于台阶的上方，与p型低温GaSb接触层欧姆接触。