[发明专利]一种三维结构石墨烯薄膜的制备方法及其制备用生长衬底有效

专利信息
申请号: 201611252663.8 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN106587029B 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 王炜;谭化兵 申请(专利权)人: 无锡格菲电子薄膜科技有限公司
主分类号: C01B32/186 分类号: C01B32/186
代理公司: 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686 代理人: 肖淑芳
地址: 214174 江苏省无锡惠山经*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种三维结构石墨烯薄膜的制备方法及其制备用生长衬底,所述生长衬底由金属箔与金属网交替叠合设置在一起。本发明是在传统的石墨烯生长衬底的基础上,进行一定的复合,改变其结构,从而生长出具有一定三维结构的石墨烯柔性透明导电薄膜。由于这样制备出来的石墨烯薄膜同时保持有连续的薄膜状石墨烯结构,和三维的网络状石墨烯结构,故而可以兼容透明、导电性,同时又有极为优异的柔性。
搜索关键词: 一种 三维 结构 石墨 薄膜 制备 方法 及其 生长 衬底
【主权项】:
1.一种用于制备三维结构石墨烯薄膜的生长衬底,其特征在于:由金属箔与金属网交替叠合设置在一起,所述金属网的网格目数为40目至400目,相邻的所述金属网和所述金属箔之间的平均间距均为0.01μm~1mm。
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