[发明专利]半导体制造用部件的再生方法和其再生装置及再生部件有效
| 申请号： | 201611254099.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN107437495B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 金基源;卢炯煜;尹钟声;洪元杓 | 申请（专利权）人： | 韩国东海炭素株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造用部件的再生方法和其再生装置及再生部件，根据本发明的一个实施例，提供半导体制造用部件的再生方法，其步骤包括：准备步骤，准备损伤的半导体制造用部件；第一清洗步骤，清洗所述损伤的半导体制造用部件；遮掩步骤，遮掩包括所述损伤的半导体制造用部件的非损伤部分领域中至少任何一个；再生部形成步骤，由化学汽相淀积法在所述损伤的半导体制造用部件形成再生部；后加工步骤，加工所述再生部形成的损伤的半导体制造用部件；及第二清洗步骤，清洗形成所述再生部的损伤的半导体制造用部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 部件 再生 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体制造用部件的再生方法，其步骤包括：准备步骤，准备损伤的半导体制造用部件；第一清洗步骤，清洗所述损伤的半导体制造用部件；遮掩步骤，遮掩包括所述损伤的半导体制造用部件的非损伤部分领域中至少任何一个；再生部形成步骤，由化学汽相淀积法在所述损伤的半导体制造用部件形成再生部；后加工步骤，加工所述再生部形成的损伤的半导体制造用部件；及第二清洗步骤，清洗形成所述再生部的损伤的半导体制造用部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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