[发明专利]电容耦合等离子体处理装置与等离子体处理方法在审
| 申请号： | 201611254798.8 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269728A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 叶如彬;涂乐义;梁洁 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 潘朱慧 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电容耦合等离子体处理装置与对应的等离子体处理方法，用于改善基片刻蚀的均匀性。其中，处理装置包括：相对设置的上电极与下电极，所述上、下电极之间为处理区域；射频功率源；偏置功率源，施加于所述下电极；环形件，环绕所述下电极设置，所述环形件沿圆周方向分割为至少两个部分，每一部分通过一阻抗调节装置接地。 | ||
| 搜索关键词： | 下电极 处理装置 电容耦合等离子体 等离子体处理 环形件 阻抗调节装置 射频功率源 沿圆周方向 处理区域 基片刻蚀 偏置功率 相对设置 接地 均匀性 电极 环绕 施加 分割 | ||
【主权项】：
1.一种电容耦合等离子体处理装置，包括：反应腔，设置有顶壁、侧壁与底壁；上电极，位于所述反应腔内，设置在所述顶壁；下电极，位于所述反应腔内，并与所述上电极相对设置；射频功率源，施加于所述下电极；偏置功率源，施加于所述下电极；环形件，环绕所述下电极设置，并可上下移动；所述环形件沿圆周方向分割为至少两个部分，每一部分电连接至所述上电极。
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