[发明专利]一种载流子增强型MOS结构有效
| 申请号： | 201611254930.5 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106784007B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 宋超 | 申请（专利权）人： | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种载流子增强型MOS结构，包括一具有第一掺杂型的衬底，及在衬底内形成的具有第二掺杂型的源区和漏区，所述源区及所述漏区之间开设有沟槽，所述沟槽内设置有负膨胀应力增强层，所述负膨胀应力增强层与所述沟槽内壁贴合。该结构不仅可以做到隔离沟槽的作用，而且还可以为MOS提供应力，负膨胀应力增强层在低温下，可以膨胀激发电子迁移活力，从而增强MOS的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 载流子 增强 mos 结构 | ||
【主权项】：
一种载流子增强型MOS结构，包括一具有第一掺杂型的衬底，及在衬底内形成的具有第二掺杂型的源区和漏区，其特征在于：所述源区及所述漏区之间开设有沟槽，所述沟槽内设置有负膨胀应力增强层，所述负膨胀应力增强层与所述沟槽内壁贴合。
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