[发明专利]相变随机存取存储器的菱形式四电阻器单元在审
| 申请号： | 201611254934.3 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN107394039A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李霞 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及相变随机存取存储器的菱形式四电阻器单元。本发明揭示一种形成相变随机存取存储器PRAM单元的方法及相变随机存取存储器PRAM单元的结构。所述PRAM单元包括底部电极；加热器电阻器，其耦合到所述底部电极；相变材料PCM，其形成于所述加热器电阻器之上且耦合到所述加热器电阻器；及顶部电极，其耦合到所述相变材料。所述相变材料接触所述加热器电阻器的垂直表面的一部分及所述加热器电阻器的水平表面的一部分，以形成所述加热器电阻器与所述相变材料之间的作用区域。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 随机存取存储器 菱形 电阻器 单元 | ||
【主权项】：
一种形成三维相变随机存取存储器PRAM单元设置的方法，所述方法包含：形成共用加热器电阻器，其中所述加热器电阻器包括在第一平面内延伸的多个第一支腿部分及在第二平面内延伸的至少一个第二支腿部分；及在所述加热器电阻器的所述多个第一支腿部分及所述至少一个第二支腿部分中的每一者的末端之上形成相变材料PCM膜以形成作用区域。
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