[发明专利]形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201611255416.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106960796A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 洪世玮;林剑锋;骆家駉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体结构的方法，包括(i)形成包含锗的特征结构于基板上；(ii)移除特征结构的一部分，使得特征结构的内部部分暴露出；(iii)将暴露出的内部部分的表面暴露于含氧的环境；以及(iv)使用包含水的液体处理暴露出的内部部分的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：形成包含锗的一特征结构于一基板上；移除该特征结构的一部分，使得该特征结构的一内部部分暴露出；将暴露出的该内部部分的一表面暴露于含氧的一环境；以及使用包含水的一液体处理暴露出的该内部部分的该表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
