[发明专利]一种用于制备低温多晶硅的装置及方法在审
| 申请号： | 201611255793.7 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106835289A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王志刚 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制备低温多晶硅的装置及方法，该装置包括制程腔室、喷出组件、第一管道、第二管道、第三管道、氮气储槽和氢气储槽，其中，制程腔室用于盛放待结晶处理的单晶硅基板；喷出组件连接第一管道的一端，第一管道的另一端分别连接第二管道和第三管道的一端，第二管道的另一端连接氮气储槽，第三管道的另一端连接氢气储槽；在单晶硅结晶处理过程中，第一管道将经由第二管道和第三管道输入的预定比例的氮气和氢气混合，并通过喷出组件喷出。本发明可以减少氢化制程，节省设备成本，缩短产品生产周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 低温 多晶 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备低温多晶硅的装置，包括：制程腔室、喷出组件、第一管道、第二管道、第三管道、氮气储槽和氢气储槽，其中，所述制程腔室用于盛放待结晶处理的单晶硅基板；所述喷出组件连接第一管道的一端，所述第一管道的另一端分别连接第二管道和第三管道的一端，所述第二管道的另一端连接氮气储槽，所述第三管道的另一端连接氢气储槽；在单晶硅结晶处理过程中，所述第一管道将经由所述第二管道和第三管道输入的预定比例的氮气和氢气混合，并通过喷出组件喷出。
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