[发明专利]一种单面出光LED芯片制备方法在审
| 申请号： | 201611256713.X | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269885A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 章少华;管志斌 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/46;H01L33/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单面出光LED芯片制备方法，包括：S1依次在蓝宝石衬底上生长包括缓冲层、n型GaN层、发光层、p型GaN层的半导体发光薄膜，分别在n型GaN层和p型GaN层表面制备n电极和p电极，得到正装结构的LED晶圆片；S2对晶圆片进行划片、扩膜得到单颗LED芯片；S3对得到的LED芯片进行换膜，其中，LED芯片中发光面朝向膜一侧排列；S4对LED芯片中除去发光面的其他五个面镀金属反射膜，完成LED芯片的制备。避免了芯片的光从侧面溢出，解决了LED芯片五面出光的技术问题，提高了光的利用率，扩展了LED芯片的应用领域，尤其是要求精确配光的领域，如手电、车灯等。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 单颗LED芯片 金属反射膜 表面制备 发光薄膜 正装结构 蓝宝石 光面 发光层 缓冲层 晶圆片 车灯 衬底 划片 面镀 配光 半导体 溢出 发光 芯片 侧面 生长 | ||
【主权项】：
1.一种单面出光LED芯片制备方法，其特征在于，所述单面出光LED芯片制备方法中包括：S1依次在蓝宝石衬底上生长包括缓冲层、n型GaN层、发光层、p型GaN层的半导体发光薄膜，分别在n型GaN层和p型GaN层表面制备n电极和p电极，得到正装结构的LED晶圆片；S2对所述晶圆片进行划片、扩膜得到单颗LED芯片；S3对得到的LED芯片进行换膜，其中，LED芯片中发光面朝向膜一侧排列；S4对所述LED芯片中除去发光面的其他五个面镀金属反射膜，完成LED芯片的制备。
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