[发明专利]一种量子点材料、制备方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201611256988.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269886B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 杨一行;刘政;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量子点材料、制备方法及半导体器件，所述量子点材料包含N个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，其中N≥1；所述量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构；且相邻的量子点结构单元的能级宽度是连续的。本发明提供了一种具有从内到外沿径向方向的渐变合金组分的新型量子点材料，其不仅实现了更高效的量子点材料发光效率，同时也更能满足半导体器件及相应显示技术对量子点材料的综合性能要求，是一种适合半导体器件及显示技术的理想量子点发光材料。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点材料 半导体器件 量子点结构 能级 渐变 制备 合金 量子点发光材料 综合性能要求 发光效率 组分结构 排布 外沿 | ||
【主权项】：
1.一种量子点材料，其特征在于，所述量子点材料包含N个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，其中N≥1；/n所述量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构；且相邻的量子点结构单元的能级宽度是连续的；/n所述量子点结构单元包含2-20层的单原子层，或者所述量子点结构单元包含1-10层的晶胞层。/n
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