[发明专利]一种电子器件的制作方法有效
申请号: | 201611257316.4 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN108269914B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 陈垒;吴晓蕾;王镇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L43/12 | 分类号: | H01L43/12;H01L21/027 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种电子器件的制作方法,包括如下步骤:制作第一材料层,并同步形成第一对准标记;制作第二材料层,并同步形成第二对准标记;所述第一、第二对准标记共同组成复合标记;制作第三材料层,其中,所述第三材料层的图案采用电子束曝光定义,所述电子束曝光采用所述复合标记作为套刻对准标记。本发明中,电子束曝光采用复合标记作为套刻对准标记,所述复合标记中,第一、第二对准标记分别与第一、第二材料层同步制作,如果光刻工艺误差使第一材料层图案与第二材料层图案发生偏移,这个偏移情况也会存在于两层结合的复合标记上,利用这个带有偏移信息的复合标记,就能精确地定位第三材料层的位置,从而刻画定位精确的第三材料层图案。 | ||
搜索关键词: | 对准标记 复合标记 第二材料层 电子束曝光 制作 材料层 第一材料 电子器件 偏移 图案 套刻 材料层图案 定位精确 光刻工艺 偏移信息 两层 刻画 | ||
【主权项】:
1.一种电子器件的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:制作第一材料层,并同步形成第一对准标记;制作第二材料层,并同步形成第二对准标记;所述第一对准标记与第二对准标记共同组成复合标记;制作第三材料层,其中,所述第三材料层的图案采用电子束曝光定义,所述电子束曝光采用所述复合标记作为套刻对准标记。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611257316.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:霍尔器件及其制备方法与电子设备
- 下一篇:一种形成磁阻器件的方法以及磁阻器件