[发明专利]一种电子器件的制作方法有效

专利信息
申请号: 201611257316.4 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN108269914B 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 陈垒;吴晓蕾;王镇 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L43/12 分类号: H01L43/12;H01L21/027
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种电子器件的制作方法,包括如下步骤:制作第一材料层,并同步形成第一对准标记;制作第二材料层,并同步形成第二对准标记;所述第一、第二对准标记共同组成复合标记;制作第三材料层,其中,所述第三材料层的图案采用电子束曝光定义,所述电子束曝光采用所述复合标记作为套刻对准标记。本发明中,电子束曝光采用复合标记作为套刻对准标记,所述复合标记中,第一、第二对准标记分别与第一、第二材料层同步制作,如果光刻工艺误差使第一材料层图案与第二材料层图案发生偏移,这个偏移情况也会存在于两层结合的复合标记上,利用这个带有偏移信息的复合标记,就能精确地定位第三材料层的位置,从而刻画定位精确的第三材料层图案。
搜索关键词: 对准标记 复合标记 第二材料层 电子束曝光 制作 材料层 第一材料 电子器件 偏移 图案 套刻 材料层图案 定位精确 光刻工艺 偏移信息 两层 刻画
【主权项】:
1.一种电子器件的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:制作第一材料层,并同步形成第一对准标记;制作第二材料层,并同步形成第二对准标记;所述第一对准标记与第二对准标记共同组成复合标记;制作第三材料层,其中,所述第三材料层的图案采用电子束曝光定义,所述电子束曝光采用所述复合标记作为套刻对准标记。
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