[发明专利]纳米多层氮化硅陶瓷涂层、其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201611257480.5 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108265272B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 刘二勇;曾志翔;王刚;李龙阳;蒲吉斌;王立平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米多层氮化硅陶瓷涂层、其制备方法与应用。所述涂层包括直流反应溅射氮化硅层和射频溅射氮化硅层交替层叠形成的多层结构。所述涂层的制备方法包括：以单晶硅靶和/或氮化硅靶作为阴极，以惰性气体及氮气作为工作气体，采用直流反应溅射技术和射频溅射技术在基材上沉积形成所述纳米多层氮化硅陶瓷涂层，所述纳米多层氮化硅陶瓷涂层包括交替层叠的直流反应溅射氮化硅层和射频溅射氮化硅层。本发明的纳米多层氮化硅陶瓷涂层与多孔陶瓷基材等结合性良好，且具有结构致密、厚度可控、高硬度、低内应力、无宏观缺陷等优势，可应用于各种介质的精密过滤与分离、高温透波/吸波、电解隔膜等多种领域。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅陶瓷 多层 氮化硅层 射频溅射 制备 直流反应溅射 交替层叠 氮气 阴极 应用 多孔陶瓷基材 反应溅射技术 采用直流 单晶硅靶 电解隔膜 多层结构 惰性气体 工作气体 宏观缺陷 厚度可控 结构致密 精密过滤 氮化硅 高硬度 结合性 基材 透波 吸波 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种纳米多层氮化硅陶瓷涂层的制备方法，其特征在于包括：（1）提供基材；（2）以等离子体溅射清洗所述基材；（3）以单晶硅靶和/或氮化硅靶作为阴极，并以惰性气体及氮气作为工作气体，采用直流反应溅射技术沉积形成直流反应溅射氮化硅层，并采用射频溅射技术沉积形成射频溅射氮化硅层，且使所述直流反应溅射氮化硅层和射频溅射氮化硅层在所述基材上交替层叠，从而形成所述纳米多层氮化硅陶瓷涂层；所述直流反应溅射技术采用的工艺条件包括：电源功率为600～1200W，偏压为‑50～‑150V，磁控溅射气相沉积系统的镀膜腔体通入的气体为氩气和氮气，其中氩气流量为50～100sccm，氮气流量为120～180sccm，直流反应溅射的沉积时间为10～100min；所述射频溅射技术的工艺条件包括：电源功率为300W～600W，偏压为‑50～‑150V，磁控溅射气相沉积系统的镀膜腔体通入的气体为氩气和氮气，其中氩气流量为50～100sccm，氮气流量为120～180sccm，射频溅射的沉积时间为10～100min。
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