[发明专利]一种基于图形化蓝宝石衬底和预溅射技术的AlN薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201611258225.2 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269887A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 许福军;沈波;张立胜;王明星;解楠;孙元浩;秦志新 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于III族氮化物半导体制备技术领域，涉及低位错密度AlN外延薄膜的制备。该方法结合图形化蓝宝石衬底和预溅射AlN成核层两个核心关键环节，在此基础上通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)实现侧向外延过程，获得表面平整、位错密度低的AlN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 图形化蓝宝石 预溅射 衬底 制备 金属有机物化学气相沉积 制备技术领域 表面平整 侧向外延 关键环节 外延薄膜 成核层 低位 位错 | ||
【主权项】：
1.一种基于图形化蓝宝石衬底和预溅射技术的AlN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：制备凹面图形化蓝宝石衬底；S2：采用磁控溅射方法在蓝宝石衬底上预沉积AlN成核层；S3：在AlN成核层上直接高温外延生长AlN外延层，完成聚合过程；继续外延直至达到目标厚度，即得。
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