[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 201611258834.8 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN107017226A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 郑凯方;邓志霖;陈海清;黄心岩;包天一;蔡荣训 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据一些实施例，本公开提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括基底。半导体装置结构包括位于基底上方的第一导电结构。半导体装置结构包括位于基底上方的第一介电层。第一介电层具有暴露第一导电结构的第一开口。半导体装置结构包括覆盖第一开口的第一内壁的覆盖层，且覆盖层具有暴露第一导电结构的第二开口。覆盖层包括金属氧化物。半导体装置结构包括第二导电结构，其填入第一开口且被覆盖层所围绕。第二导电结构电性连接至第一导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体装置结构，包括：一基底；一第一导电结构，于该基底上方；一第一介电层，于该基底上方，其中该第一介电层具有暴露该第一导电结构的一第一开口；一覆盖层，覆盖该第一开口的一第一内壁，其中该覆盖层具有暴露该第一导电结构的一第二开口，且该覆盖层包括一金属氧化物；以及一第二导电结构，其填入该第一开口且被该覆盖层所围绕，其中该第二导电结构电性连接至该第一导电结构。
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