[发明专利]氮化镓基功率开关器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201611260109.4 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106601798A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 康玄武;刘新宇;黄森;王鑫华;魏珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L21/02;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓基功率开关器件及其制作方法，在轻掺杂N型氮化镓外延片上方生长P型氮化镓外延层；对所述P型氮化镓外延层和所述轻掺杂N型氮化镓外延片进行刻蚀，以形成贯穿于所述P型氮化镓外延层或贯穿于所述P型氮化镓外延层并伸入所述轻掺杂N型氮化镓外延片中的场环结构；在含有所述场环结构的P型氮化镓外延层上方生长轻掺杂N型氮化镓外延层；其中，所述场环结构包括至少一个槽形结构。本发明通过采用外延法替代离子注入法来形成氮化镓基功率开关器件中的P型掺杂结构，杂质有效激活率高，避免了依靠退火技术来提高离子注入中杂质有效激活率的问题，降低了工艺实现的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 功率 开关 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基功率开关器件的制作方法，其特征在于，包括：在轻掺杂N型氮化镓外延片上方生长P型氮化镓外延层；对所述P型氮化镓外延层和所述轻掺杂N型氮化镓外延片进行刻蚀，以形成贯穿于所述P型氮化镓外延层或贯穿于所述P型氮化镓外延层并伸入所述轻掺杂N型氮化镓外延片中的场环结构；在含有所述场环结构的P型氮化镓外延层上方生长轻掺杂N型氮化镓外延层；其中，所述场环结构包括至少一个槽形结构。
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