[发明专利]一种凸型LED芯片结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201611260230.7 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN106531869A 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 彭勇;尤文胜 申请(专利权)人: 合肥市华达半导体有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/00
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 代理人: 胡剑辉
地址: 230000 安徽省合肥市高新区望江西路86*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种凸型LED芯片结构,包括衬底、反射层、缓冲层和LED发光结构;所述衬底的上表面覆盖有发射层,所述反射层上覆盖有缓冲层,所述缓冲层的上设置有LED发光结构;所述LED发光结构为凸台结构,凸台两侧面与水平面间的夹角小于45°,所述LED发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层和透明导电膜;所述第一半导体层覆盖在缓冲层上,且所述有源层覆盖在第一半导体层上,所述缓冲层上覆盖有第二半导体层。本发明通过在衬底上覆盖有反射层,且在反射层上覆盖有缓冲层,避免对衬底进行图形化,降低生产成本以及提高生产效率;通过将LED发光结构的侧面设计成凸台结构,能够有效减少全发射现象,增加LED灯的出光亮。
搜索关键词: 一种 led 芯片 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种凸型LED芯片结构,其特征在于:包括衬底(10)、反射层(20)和LED发光结构(50);所述衬底(10)的上表面覆盖有发射层(20),所述反射层(20)的上方设置有LED发光结构(40);所述LED发光结构(40)为凸台结构,所述LED发光结构(40)包括第一半导体层(401)、有源层(402)、第二半导体层(403)和透明导电膜(404);所述第一半导体层(401)覆盖在缓冲层(30)上,且所述有源层(402)覆盖在第一半导体层(401)上,所述缓冲层(30)上覆盖有第二半导体层(403)。
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