[发明专利]一种纳米材料、制备方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201611260234.5 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269934A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 刘政;杨一行;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种纳米材料、制备方法及半导体器件，其中，所述纳米材料包括N个在径向方向上依次排布的纳米结构单元，其中N≥2；所述纳米结构单元包括A1和A2类型，所述A1类型为径向方向上能级宽度一致的均一组分结构；所述A2类型为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构；所述纳米材料的内部由至少一层A1类型的纳米结构单元组成，所述纳米材料的外部由至少一层A2类型的纳米结构单元组成；在径向方向上相邻的纳米结构单元中，靠近纳米材料中心的纳米结构单元的能级宽度不大于远离纳米材料中心的纳米结构单元的能级宽度，且相邻的渐变合金组分结构的纳米结构单元的能级是连续的。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米结构单元 纳米材料 能级 组分结构 半导体器件 渐变 制备 合金 宽度一致 均一 排布 外部 | ||
【主权项】：
1.一种纳米材料，其特征在于，所述纳米材料包括N个在径向方向上依次排布的纳米结构单元，其中N≥2；所述纳米结构单元包括A1和A2类型，所述A1类型为径向方向上能级宽度一致的均一组分结构；所述A2类型为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构；所述纳米材料的内部由至少一层A1类型的纳米结构单元组成，所述纳米材料的外部由至少一层A2类型的纳米结构单元组成；在径向方向上相邻的纳米结构单元中，靠近纳米材料中心的纳米结构单元的能级宽度不大于远离纳米材料中心的纳米结构单元的能级宽度，且相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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