[发明专利]一维SiO2纳米材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201611260343.7 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN106587079A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 杜军;李青青;王锋;丁瑜;覃彩芹 申请(专利权)人: 湖北工程学院
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 代理人: 孙海杰
地址: 432000 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一维SiO2纳米材料及其制备方法,涉及一种纳米材料领域,该制备方法是以SiO2为硅源、以包含金属Fe、Co或Ni离子的可溶性卤盐为金属催化剂、以三聚氰胺为辅助原料,首先球磨混合,再在化学惰性气体保护下于900~1100℃反应1~4h,即得一维SiO2纳米材料。该制备方法充分利用低成本三聚氰胺为辅助碳源,成本相对低廉的SiO2为硅源,方法简单,成本低廉,适于工业化生产一维SiO2纳米材料,且因反应主要采用化学气相沉积法条件简单、可大规模生产等优点得到人们的普遍使用;制得的一维SiO2纳米材料,可广泛应用于橡胶、塑料、涂料、功能材料、通讯、电子、生物学以及医学等诸多领域。
搜索关键词: sio2 纳米 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种一维SiO2纳米材料的制备方法,其特征在于,其包括以下步骤:将SiO2、金属催化剂和三聚氰胺按物质量比1:2~5:4~6投料,并球磨1~3h,得到混合均匀的混合物,所述金属催化剂包含金属M离子,所述金属M包括Fe、Co、Ni中的至少一种;将所述混合物在惰性气体保护下,于900~1100℃反应1~4h。
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