[发明专利]用于将一对半导体衬底粘合在一起的方法在审
| 申请号： | 201611261004.0 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN107043086A | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 辛建宁;王乙翕;刘人豪;张智杭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;H01L21/762 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种用硅烷预处理将一对衬底熔融粘合在一起的方法。用硅烷预处理第一氧化物层的表面或第二氧化物层的表面。将第一氧化物层和第二氧化物层分别布置于第一半导体衬底和第二半导体衬底上。将水施用到第一氧化物层的表面或第二氧化物层的表面。使第一氧化物层的表面和第二氧化物层的表面直接接触。使第一氧化物层和第二氧化物层退火。还提供一种用于使用熔融粘合制造微机电系统(microelectromechanical systems，MEMS)封装的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 一对 半导体 衬底 粘合 在一起 方法 | ||
【主权项】：
一种用于将一对半导体衬底粘合在一起的方法，所述方法包括：用硅烷预处理第一氧化物层的表面或第二氧化物层的表面，其中将所述第一氧化物层以及所述第二氧化物层分别布置于第一半导体衬底以及第二半导体衬底上；将水施用到所述第一氧化物层的所述表面或所述第二氧化物层的所述表面；使所述第一氧化物层的所述表面以及所述第二氧化物层的所述表面直接接触；以及使所述第一氧化物层以及所述第二氧化物层退火。
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