[发明专利]提升集成电路角落处硅片使用效率的方法有效
申请号: | 201611261578.8 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN106783731B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 唐立伟;任军 | 申请(专利权)人: | 合肥恒烁半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/66;H01L21/54 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供一种提升集成电路角落处硅片使用效率的方法,其包括以下步骤:步骤一,角落放置电源和地的环线,用符合挖槽设计规则的金属连线衔接两个互为垂直方向的端口所对应的电源线和地线;步骤二,在步骤一所述电源线的金属线的正下方放置用于防止闩锁效应的N‑Well及N‑tap,打上足够多的欧姆接触,并通过金属及过孔连至所述电源线;步骤三,在步骤一所述地线的金属线的正下方放置用于防止闩锁效应的P‑Well及P‑tap,并打上足够多的欧姆接触,并通过金属及过孔连至所述地线。本发明可提升集成电路硅片面积的有效使用率,降低成本。 | ||
搜索关键词: | 提升 集成电路 角落 硅片 使用 效率 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提升集成电路角落处硅片使用效率的方法,其特征在于,所述提升集成电路角落处硅片使用效率的方法包括以下步骤:步骤一,角落放置电源和地的环线,用符合挖槽设计规则的金属连线衔接两个互为垂直方向的端口所对应的电源线和地线;步骤二,在步骤一所述电源线的金属线的正下方放置用于防止闩锁效应的N‑Well及N‑tap,打上足够多的欧姆接触,并通过金属及过孔连至所述电源线;步骤三,在步骤一所述地线的金属线的正下方放置用于防止闩锁效应的P‑Well及P‑tap,打上足够多的欧姆接触,并通过金属及过孔连至所述地线;步骤四,在符合晶圆代工厂防止闩锁效应设计规则的条件下修改前面步骤一至步骤三;步骤五,按照晶圆代工厂版图图层设计规则绘制符合最小规则的测试版图,将这些待测试的图层绘制的版图放置在集成电路的角落;步骤六,放置该集成电路信息的标记或者用于集成电路封装时定位的标记;步骤七,如果想要测试晶圆代工厂的某项工艺参数,设计特定的电路并连上金属焊点,把这个模块放置在集成电路的角落,等待流片回来测试;步骤八,在角落放置电源或者地管脚的焊点,同时放置对应防静电的保护电路,并连接到角落内对应电源或者地的金属线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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