[发明专利]提升集成电路角落处硅片使用效率的方法有效

专利信息
申请号: 201611261578.8 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN106783731B 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 唐立伟;任军 申请(专利权)人: 合肥恒烁半导体有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/66;H01L21/54
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230000 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种提升集成电路角落处硅片使用效率的方法,其包括以下步骤:步骤一,角落放置电源和地的环线,用符合挖槽设计规则的金属连线衔接两个互为垂直方向的端口所对应的电源线和地线;步骤二,在步骤一所述电源线的金属线的正下方放置用于防止闩锁效应的N‑Well及N‑tap,打上足够多的欧姆接触,并通过金属及过孔连至所述电源线;步骤三,在步骤一所述地线的金属线的正下方放置用于防止闩锁效应的P‑Well及P‑tap,并打上足够多的欧姆接触,并通过金属及过孔连至所述地线。本发明可提升集成电路硅片面积的有效使用率,降低成本。
搜索关键词: 提升 集成电路 角落 硅片 使用 效率 方法
【主权项】:
1.一种提升集成电路角落处硅片使用效率的方法,其特征在于,所述提升集成电路角落处硅片使用效率的方法包括以下步骤:步骤一,角落放置电源和地的环线,用符合挖槽设计规则的金属连线衔接两个互为垂直方向的端口所对应的电源线和地线;步骤二,在步骤一所述电源线的金属线的正下方放置用于防止闩锁效应的N‑Well及N‑tap,打上足够多的欧姆接触,并通过金属及过孔连至所述电源线;步骤三,在步骤一所述地线的金属线的正下方放置用于防止闩锁效应的P‑Well及P‑tap,打上足够多的欧姆接触,并通过金属及过孔连至所述地线;步骤四,在符合晶圆代工厂防止闩锁效应设计规则的条件下修改前面步骤一至步骤三;步骤五,按照晶圆代工厂版图图层设计规则绘制符合最小规则的测试版图,将这些待测试的图层绘制的版图放置在集成电路的角落;步骤六,放置该集成电路信息的标记或者用于集成电路封装时定位的标记;步骤七,如果想要测试晶圆代工厂的某项工艺参数,设计特定的电路并连上金属焊点,把这个模块放置在集成电路的角落,等待流片回来测试;步骤八,在角落放置电源或者地管脚的焊点,同时放置对应防静电的保护电路,并连接到角落内对应电源或者地的金属线。
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